kSA Emissometer石墨盤發射率測量系統能快速、便捷的在金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）石墨盤上產生漫反射和鏡面反射，從而測量其總輻射率的分布圖。石墨盤輻射率分布的變化會引起溫度分布不均勻，使得器件良品率下降，甚至導致整個生產過程被浪費。使用kSA Emissometer石墨盤發射率測量系統，可實時通過輻射率變化跟蹤石墨盤的使用情況，以便確定其使用壽命，防止由此引起無效生產。kSA Emissometer也可以檢測石墨盤烘烤后的殘余物，同時識別其表面人眼不可見的缺陷、劃痕、裂紋和凹坑。

系統采用雙傳感器設計，可在石墨盤旋轉同時進行整個石墨盤的漫反射率、鏡面反射率及發射率二維分布Mapping測量。

物體的發射率與物體的表面狀態(包括物體表面溫度、表面粗糙度、面形以及表面氧化層、涂層、缺陷、殘留物、表面雜質等)有關。所以，通過對石墨盤各個點發射率的測量可以直接反映出石墨盤表面肉眼難以觀測到的表面細節，同時基于黑體輻射原理進一步評估石墨盤表面溫度的分布情況。這對有效控制器件的質量，以及優化生長工藝有著幫助。

1. 根據各不同石墨盤的特征來記錄每個石墨盤的使用情況，建立跟蹤數據庫，對判斷石墨盤是否可重復利用起到參考作用。

2. 生長沉積后石墨盤烘烤質量的測定，檢測表面清潔度，是否有殘留沉積物。

3. 定量確定石墨盤表面的實際發射率，模擬出加熱情況下pocket的熱量輻射狀況，以判斷烘烤前是否需要調整加熱點的溫度。

4. 檢測SiC涂層上微裂紋的存在，以判斷石墨盤的壽命情況，避免碳泄露造成外延薄膜污染。

5. 通過檢測同批次的新石墨盤的發射率情況來評估相應供應商的產品質量。

6. 預防避免由于石墨盤質量原因造成的MOCVD的無效薄膜生長運行。

7. 建立相應的企業標準，有效降低企業成本。

1. 掃描尺寸：465mm或700mm；

2. 適配石墨盤：大部分商用石墨盤；

3. 掃描分辨率：徑向分辨率0.05mm，角度分辨率0.1°，用戶可自定義；

4. 掃描時間：10分鐘（465mm尺寸的石墨盤，以徑向1mm，角度0.1°測量）；

5. 測量光點尺寸：2mm；

6. 光源波長：940nm或660nm（可選）；

7. 鏡漫反射率分辨率：±0.005；鏡漫反射率分辨率：±0.01；發射率分辨率：±0.01；發射率分辨率：±0.02；

8. 系統為離線測量設備，便于石墨盤的裝卸。軟件操作簡單，專為操作員及工程師設計。

線性分析

統計分析