kSA BandiT 半導體實時溫度測量系統是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化的原理，實時測量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設備上，實現了晶片的溫度實時監測。

該系統在外延薄膜生長過程中，對Wafer（及薄膜）表面溫度實時、非接觸、非入侵的直接檢測；采用溫度和半導體材料對光的吸收邊（禁帶寬度）相關性原理，即材料的本征特性，使得測量結果更為可靠；可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發系統等和熱處理、退火設備上，進行實時溫度監測。可選配多晶片溫度測量軟件功能及掃描功能，以實現MBE外延薄膜生長過程中多晶片溫度的實時監測及溫度的二維分布信息。

     ? 溫度測試范圍：室溫~1200℃（視不同材料而定）

     ? 溫度測試精度：±2℃

     ? 溫度測試穩定性：±0.2℃

     ? 溫度測試分辨率：±0.1℃

     ? 溫度測試掃描速率：30 point/1nm

     ? 實時、非接觸、非入侵、直接Wafer溫度監測
     ? 真實的Wafer表面或薄膜溫度監測
     ? 整合了新的黑體輻射監測技術

     ? 避免了發射率變化對測量的影響
     ? 無需沉積設備Viewport特殊涂層

     ? 測量波長范圍可選（例如：可見光波段、近紅外波段等）

     ? 多基片/晶片表面2D溫度Mapping監測（選配）

     ? 沉積速率和薄膜厚度分析（選配）
     ? 表面粗糙度分析功能（選配）