采用多光束光學傳感器系統(kSA MOS)原位實時應力測量分析，可研究鋰離子電池反應動力學過程中或在正常使用過程中內部會產生應力，對其電化學性能的影響；即就是在充放電過程中鋰離子電池外殼表面的應力變化,得到了充放電循環中鋰離子電池電極表面的應力大小與電荷狀態的關系；進而分析充放電過程中應力變化的異同,即產生不可逆應力,充放電曲線不重合。
原位薄膜應力測量系統kSA MOS Film Stress Measurement System，又名原位薄膜應力計或原位薄膜應力儀！
采用非接觸激光MOS技術；不但可以對樣品表面應力分布進行統計分析，而且還可以進行樣品表面二維應力、曲率成像分析；客戶可自行定義選擇使用任意一個或者一組激光點進行測量；并且這種設計始終保持所有陣列的激光光點始終在同一頻率運動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結果的影響；同時提高了測試的分辨率；適合各種材質和厚度薄膜應力分析；
典型用戶：如Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學，中國計量科學院等、半導體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；
相關產品
? 實時原位薄膜應力儀（kSA MOS Film Stress Tester）：同樣采用多光束MOS技術，可裝在各種真空沉積設備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長過程中的應力變化進行實時原位測量和二維成像分析；
? 薄膜熱應力測量系統（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）
? 薄膜應力測量系統（kSA MOS Film Stress Measurement System）
設備名稱
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping Systems
主要特點
? MOS 多光束傳感器技術；
? 單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱窗口)系統設計；
? 適合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系統等各種真空薄膜沉積系統以及熱處理設備等；
? 薄膜應力各向異性測試和分析功能；
? 生長速率和薄膜厚度測量；（選件）
? 光學常數n&k 測量；（選件）
? 多基片測量功能；（選件）
? 基片旋轉追蹤測量功能；（選件）
? 實時光學反饋控制技術，系統安裝時可設置多個測試點；
? 免除了測量不受真空系統振動影響；
測試功能
? 實時原位薄膜應力測量
? 實時原位薄膜曲率測量
? 實時原位應力*薄膜厚度曲線測量
? 實時原位薄膜生長全過程應力監控等
測試示意圖
充放電過程
動力學循環過程
